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型号 SI8416DB-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
SI8416DB-T1-GE3 PDF
代理商 SI8416DB-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 23 毫欧 @ 1.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 26nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1470pF @ 4V
功率 - 最大 13W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-UFBGA
供应商设备封装 6-microfoot
包装 标准包装
其它名称 SI8416DB-T1-GE3DKR
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